1973年，日本村山开发了一种射频放电离子镀（RFIP）装置，其原理图如图10-22所示。装置的真空度为10-1 Pa至10-2 Pa，气相沉积材料的雾化度为10％，加热的频率线圈高7 cm，并用3根铜线缠绕7圈。射频源频率为13.56MHz或18MHz，功率为1kW〜2kW，直流偏置为0〜1500V。该装置分为三个区域：以蒸发源为中心的蒸发区，以高频线圈为中心的电离区和以基板为中心的离子加速区。这三种有机地结合在一起，可以涂上金属膜，化合物膜和合金膜。由于涂布时的真空度高，镀层的针孔数少，膜质均匀且致密，并且纯度高，这对于制造超导膜和光学器件特别有利。电影。 RF放电离子镀的优点：1蒸发，电离和加速这三个过程是独立控制的，并且电离是通过RF激发的，而不是加速DC电场，并且在基板周围不会产生阴极暗区。 2工作压力低，成膜质量好。 3基板温度较低且易于控制。缺点是：由于真空度高，衍射差，需要频率源和电极之间的匹配源，并且随着涂层参数的变化而调整，蒸发源和频率源容易产生对于干扰，无线电频率对人体有害。需要受到保护。